Memoria DDR4 de la serie SODIMM

Atributos clave
Nombre de la Marca: KingDian
Número de modelo: Memoria DDR4 SODIMM
Lugar de origen: Porcelana
Certificación: RoHS,CE,FCC,ISO
Atributos personalizados del producto
Descripción del Producto
Parámetros clave

KingDian DDR4 de la serie de memoria SODIMM

Interfaz: DDR4
Tipo de DIMM: El contenido de sodium
Frecuencia: 2400/2666/3200MHz
Capacidades variadas: 4GB/8GB/16GB/32GB
Temperatura de funcionamiento: 0-75 °C
Temperatura de almacenamiento: -40 a 75 °C
Válvulas de carga: 1.2V
Características clave
  • Mejora del rendimiento: la RAM DDR4 KingDian ofrece tasas de transferencia de datos más altas en comparación con la memoria DDR3 anterior, ayudando a su sistema a cargar aplicaciones más rápido y manejar múltiples tareas con facilidad.
  • Bajo consumo de energía: funciona a un estándar de 1.2V, lo que reduce la producción de calor.
  • Confiabilidad y resistencia - La memoria DDR KingDian cuenta con un diseño de PCB de 6 capas que ayuda a mejorar la estabilidad de la señal y mantener un rendimiento confiable durante el uso diario y cargas de trabajo más pesadas.
  • Opciones de actualización más flexibles: elige entre 8GB a 32GB de capacidad y velocidades que van desde 2400MHz a 3200MHz. Personaliza tu hardware para que coincida perfectamente con tus requisitos de flujo de trabajo.
  • Fabricante de memoria de computadora portátil - Cada módulo SODIMM se somete a pruebas de combustión al 100% para garantizar la estabilidad a largo plazo y la resistencia a las interferencias de la señal.
Especificaciones del producto
Serie Serie DDR4 SODIMM
Marca del producto ¿ Qué pasa?
Capacidad 4 GB 8 GB 16 GB 32 GB
Número de modelo DDR4-NB-4GB DDR4-NB-8GB DDR4-NB-16GB DDR4-NB-32GB
El número de EAN 6935515134268 6935515135982 6935515136415 6935515134275 6935515134282 6935515135999 6935515134299 6935515134305 6935515136002 6935515102137 6935515102144
Velocidad de memoria / frecuencia 2400 MHz 2666MHz 3200 MHz 2400 MHz 2666MHz 3200 MHz 2400 MHz 2666MHz 3200 MHz 2666MHz 3200 MHz
Ancho de banda de la memoria (GB/s) 19200 21300 21300 21300
Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8
La latencia del CAS Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplican las siguientes condiciones: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplican las siguientes condiciones: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplican las siguientes condiciones: Se aplicará el procedimiento siguiente: Se aplican las siguientes condiciones: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Voltado de funcionamiento 1.2V
Número de IC de memoria 4//8/16
Consumo de energía 3W
IC del controlador No
Soporte para el overclock (sí / no) No
El código de corrección de errores (ECC) (sí/no) No
Peso neto (g) 10 gramos
Peso bruto (g) 25 gramos
Número de pines 260
Apoyo para OEM/ODM - Sí, es cierto.
El disipador de calor / el dispersor de calor No
Factor de forma El contenido de sodium
Tipo de memoria del ordenador (DRAM/SDRAM) Dispositivos de almacenamiento
Temperatura de funcionamiento 0 a 70 °C
Temperatura de almacenamiento -40 °C a 85 °C
Garantización 3 años
Número de canales de memoria (single/dual) (Sólo/Duplo)
Dimensión del producto (W x D x H) en mm Las demás:
Memoria con o sin búfer Memoria sin almacenamiento en búfer
Marca del IC de memoria Micron/Samsung/Sk Hynix y otros proveedores
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