Серия памяти DDR4 SODIMM

Ключевые качества
Название бренда: KingDian
Номер модели: Память DDR4 SODIMM
Место происхождения: Китай
Сертификация: RoHS,CE,FCC,ISO
Атрибуты продукта
Описание продукта
Ключевые параметры

Серия оперативной памяти KingDian DDR4 SODIMM

Интерфейс: DDR4
Тип DIMM: SODIMM
Частота: 2400/2666/3200 МГц
Различные объемы: 4 ГБ/8 ГБ/16 ГБ/32 ГБ
Рабочая температура: 0-75°C
Температура хранения: -40-75°C
Напряжение: 1.2 В
Ключевые особенности
  • Повышение производительности - Оперативная память KingDian DDR4 обеспечивает более высокую скорость передачи данных по сравнению с предыдущей памятью DDR3, помогая вашей системе быстрее загружать приложения и легко справляться с несколькими задачами.
  • Низкое энергопотребление - Работает при стандартном напряжении 1.2 В, снижая тепловыделение. Это означает более длительное время автономной работы ноутбуков и меньшее выделение тепла при длительном использовании.
  • Надежность и долговечность - Оперативная память KingDian DDR имеет 6-слойную конструкцию печатной платы, которая помогает улучшить стабильность сигнала и поддерживать надежную производительность при повседневном использовании и более высоких нагрузках.
  • Более гибкие варианты модернизации - Выбирайте из объемов от 8 ГБ до 32 ГБ и скоростей от 2400 МГц до 3200 МГц. Настройте свое оборудование в соответствии с вашими рабочими процессами.
  • Производитель памяти для ноутбуков - Каждый модуль SODIMM проходит 100% тестирование на выгорание, чтобы гарантировать долгосрочную стабильность и устойчивость к помехам сигнала.
Технические характеристики продукта
Серия Серия DDR4 SODIMM
Бренд KingDian
Объем 4 ГБ 8 ГБ 16 ГБ 32 ГБ
Номер модели DDR4-NB-4GB DDR4-NB-8GB DDR4-NB-16GB DDR4-NB-32GB
EAN 6935515134268 6935515135982 6935515136415 6935515134275 6935515134282 6935515135999 6935515134299 6935515134305 6935515136002 6935515102137 6935515102144
Скорость памяти / Частота 2400 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2400 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2400 МГц 2666 МГц 3200 МГц 2666 МГц 3200 МГц
Пропускная способность памяти (ГБ/с) 19200 21300 21300 21300
Ранг (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8
Задержка CAS CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52
Рабочее напряжение 1.2 В
Кол-во микросхем памяти 4//8//16
Энергопотребление 3 Вт
Контроллер IC НЕТ
Поддержка разгона (ДА / НЕТ) НЕТ
ECC (Код коррекции ошибок) (ДА/НЕТ) НЕТ
Вес нетто (г) 10 г
Вес брутто (г) 25 г
Количество контактов 260
Поддержка OEM/ODM ДА
Радиатор / Теплораспределитель НЕТ
Форм-фактор SODIMM
Тип компьютерной памяти (DRAM/SDRAM) DRAM
Рабочая температура 0-70°C
Температура хранения -40~85°C
Гарантия 3 года
Кол-во каналов памяти (один/два) (один/два)
Размеры продукта (Ш x Г x В) в мм 70x30x3 мм
Буферизованная / Небуферизованная память Небуферизованная память
Бренд микросхем памяти Micron/Samsung/Sk Hynix
Свяжитесь с нашими экспертами и получите бесплатную консультацию!

Наша миссия заключается в том, чтобы предложить "высокое качество" и "хорошее обслуживание" и "быструю доставку", чтобы помочь нашим клиентам получить больше прибыли.