Memória DDR4 Série SODIMM

Atributos-chave
Marca: KingDian
Número do modelo: Memória DDR4 SODIMM
Local de Origem: China
Certificação: RoHS,CE,FCC,ISO
Atributos personalizados do produto
Descrição do produto
Parâmetros Principais

Série KingDian DDR4 Memory SODIMM

Interface: DDR4
Tipo de DIMM: SODIMM
Frequência: 2400/2666/3200MHz
Capacidades Variadas: 4GB/8GB/16GB/32GB
Temperatura de Operação: 0-75°C
Temperatura de Armazenamento: -40-75°C
Voltagem: 1.2V
Principais Características
  • Melhora de Desempenho - A memória RAM KingDian DDR4 oferece taxas de transferência de dados mais altas em comparação com a memória DDR3 anterior, ajudando seu sistema a carregar aplicativos mais rapidamente e a lidar com várias tarefas com facilidade.
  • Baixo Consumo de Energia - Opera a um padrão de 1.2V, reduzindo a geração de calor. Isso significa maior duração da bateria para laptops e menor geração de calor durante o uso prolongado.
  • Confiabilidade e Durabilidade - A memória KingDian DDR apresenta um design de PCB de 6 camadas que ajuda a melhorar a estabilidade do sinal e a manter um desempenho confiável durante o uso diário e cargas de trabalho mais pesadas.
  • Opções de Upgrade Mais Flexíveis - Escolha entre capacidades de 8GB a 32GB e velocidades que variam de 2400MHz a 3200MHz. Personalize seu hardware para atender perfeitamente aos requisitos do seu fluxo de trabalho.
  • Fabricante de Memória para Laptop - Cada módulo SODIMM passa por testes de queima de 100% para garantir estabilidade a longo prazo e resistência à interferência de sinal.
Especificações do Produto
Série Série DDR4 SODIMM
Marca KingDian
Capacidade 4GB 8GB 16GB 32GB
Número do Modelo DDR4-NB-4GB DDR4-NB-8GB DDR4-NB-16GB DDR4-NB-32GB
EAN 6935515134268 6935515135982 6935515136415 6935515134275 6935515134282 6935515135999 6935515134299 6935515134305 6935515136002 6935515102137 6935515102144
Velocidade / Frequência da Memória 2400MHz 2666MHz 3200MHz 2400MHz 2666MHz 3200MHz 2400MHz 2666MHz 3200MHz 2666MHz 3200MHz
Largura de Banda da Memória (GB/s) 19200 21300 21300 21300
Rank (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8
Latência CAS CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52
Tensão de Operação 1.2V
Nº de ICs de Memória 4//8//16
Consumo de Energia 3W
IC do Controlador NÃO
Suporte a Overclock (SIM / NÃO) NÃO
ECC (Código de Correção de Erros) (SIM/NÃO) NÃO
Peso Líquido (g) 10g
Peso Bruto (g) 25g
Contagem de Pinos 260
Suporte OEM/ODM SIM
Dissipador de Calor / Espalhador de Calor NÃO
Fator de Forma SODIMM
Tipo de Memória do Computador (DRAM/SDRAM) DRAM
Temperatura de Operação 0-70°C
Temperatura de Armazenamento -40~85°C
Garantia 3 Anos
Nº de Canais de Memória (Single/Dual) (Single/Dual)
Dimensão do Produto (L x P x A) em mm 70x30x3mm
Memória Buffereada / Não Buffereada Memória Não Buffereada
Marca do IC de Memória Micron/Samsung/Sk Hynix
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