Mémoire DDR4 série SODIMM

Attributs clés
Nom de la marque: KingDian
Numéro de modèle: Mémoire DDR4 SODIMM
Lieu d'origine: Chine
Attestation: RoHS,CE,FCC,ISO
Attributs personnalisés du produit
Description du produit
Paramètres clés

Série KingDian DDR4 SODIMM

Interface : DDR4
Type de DIMM : SODIMM
Fréquence : 2400/2666/3200MHz
Capacités variées : 4 Go/8 Go/16 Go/32 Go
Température de fonctionnement : 0-75°C
Température de stockage : -40-75°C
Tension : 1,2 V
Caractéristiques principales
  • Amélioration des performances - La RAM KingDian DDR4 offre des taux de transfert de données plus élevés par rapport à la mémoire DDR3 précédente, aidant votre système à charger les applications plus rapidement et à gérer plusieurs tâches avec aisance.
  • Faible consommation d'énergie - Fonctionne à une tension standard de 1,2 V, réduisant la production de chaleur. Cela signifie une plus longue autonomie de la batterie pour les ordinateurs portables et moins de chaleur générée lors d'une utilisation prolongée.
  • Fiabilité et endurance - La mémoire KingDian DDR est dotée d'une conception de circuit imprimé à 6 couches qui contribue à améliorer la stabilité du signal et à maintenir des performances fiables lors d'une utilisation quotidienne et de charges de travail plus lourdes.
  • Options de mise à niveau plus flexibles - Choisissez parmi des capacités de 8 Go à 32 Go et des vitesses allant de 2400 MHz à 3200 MHz. Personnalisez votre matériel pour qu'il corresponde parfaitement aux exigences de votre flux de travail.
  • Fabricant de mémoire pour ordinateur portable - Chaque module SODIMM subit un test de rodage à 100 % pour garantir une stabilité à long terme et une résistance aux interférences de signal.
Spécifications du produit
Série Série DDR4 SODIMM
Marque KingDian
Capacité 4 Go 8 Go 16 Go 32 Go
Numéro de modèle DDR4-NB-4GB DDR4-NB-8GB DDR4-NB-16GB DDR4-NB-32GB
EAN 6935515134268 6935515135982 6935515136415 6935515134275 6935515134282 6935515135999 6935515134299 6935515134305 6935515136002 6935515102137 6935515102144
Vitesse / Fréquence de la mémoire 2400 MHz 2666 MHz 3200 MHz 2400 MHz 2666 MHz 3200 MHz 2400 MHz 2666 MHz 3200 MHz 2666 MHz 3200 MHz
Bande passante mémoire (Go/s) 19200 21300 21300 21300
Rang (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8
Latence CAS CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52
Tension de fonctionnement 1,2 V
Nombre de circuits intégrés de mémoire 4//8//16
Consommation d'énergie 3W
Circuit intégré de contrôle NON
Support d'overclocking (OUI / NON) NON
ECC (Code de correction d'erreurs) (OUI/NON) NON
Poids net (g) 10g
Poids brut (g) 25g
Nombre de broches 260
Support OEM/ODM OUI
Dissipateur thermique / Diffuseur de chaleur NON
Facteur de forme SODIMM
Type de mémoire d'ordinateur (DRAM/SDRAM) DRAM
Température de fonctionnement 0-70°C
Température de stockage -40~85°C
Garantie 3 ans
Nombre de canaux mémoire (Simple/Double) (Simple/Double)
Dimension du produit (L x P x H) en mm 70x30x3mm
Mémoire tamponnée / Non tamponnée Mémoire non tamponnée
Marque du circuit intégré de mémoire Micron/Samsung/Sk Hynix
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