Memoria DDR4 Serie SODIMM

Attributi chiave
Marchio: KingDian
Numero di modello: Memoria DDR4 SODIMM
Luogo di origine: Cina
Certificazione: RoHS,CE,FCC,ISO
Attributi personalizzati del prodotto
Descrizione del prodotto
Parametri chiave

Serie SODIMM di memoria KingDian DDR4

Interfaccia: DDR4
Tipo DIMM: SODIMM
Frequenza: 2400/2666/3200 MHz
Capacità varie: 4GB/8GB/16GB/32GB
Temperatura operativa: 0-75℃
Temperatura di conservazione: -40-75℃
voltaggio: 1,2 V
Caratteristiche principali
  • Miglioramento delle prestazioni: la RAM KingDian DDR4 offre velocità di trasferimento dati più elevate rispetto alla precedente memoria DDR3, aiutando il sistema a caricare le applicazioni più rapidamente e a gestire più attività con facilità.
  • Basso consumo energetico: funziona a 1,2 V standard, riducendo la produzione di calore. Ciò significa una maggiore durata della batteria per i laptop e una minore generazione di calore durante l'uso prolungato.
  • Affidabilità e resistenza: la memoria KingDian DDR presenta un design PCB a 6 strati che aiuta a migliorare la stabilità del segnale e mantenere prestazioni affidabili durante l'uso quotidiano e i carichi di lavoro più pesanti.
  • Opzioni di aggiornamento più flessibili: scegli tra capacità da 8 GB a 32 GB e velocità che vanno da 2400 MHz a 3200 MHz. Personalizza il tuo hardware per soddisfare perfettamente i requisiti del tuo flusso di lavoro.
  • Produttore di memorie per laptop: ogni modulo SODIMM viene sottoposto a test di burn-in al 100% per garantire stabilità a lungo termine e resistenza alle interferenze del segnale.
Specifiche del prodotto
Serie Serie SODIMM DDR4
Marca KingDian
Capacità 4GB 8 GB 16 GB 32 GB
Numero di modello DDR4-NB-4GB DDR4-NB-8GB DDR4-NB-16GB DDR4-NB-32GB
EAN 6935515134268 6935515135982 6935515136415 6935515134275 6935515134282 6935515135999 6935515134299 6935515134305 6935515136002 6935515102137 6935515102144
Velocità/frequenza della memoria 2400 MHz 2666 MHz 3200 MHz 2400 MHz 2666 MHz 3200 MHz 2400 MHz 2666 MHz 3200 MHz 2666 MHz 3200 MHz
Larghezza di banda della memoria (GB/s) 19200 21300 21300 21300
Grado (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1Rx8 1Rx8 2Rx8 2Rx8
Latenza CAS CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL15-15-15-35 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52 CL19-19-19-43 CL22-22-22-52
Tensione operativa 1,2 V
N. di IC di memoria 4//8//16
Consumo energetico 3 W
Circuito integrato del controllore NO
Supporto overclock (SÌ / NO) NO
ECC (codice correzione errore) (SÌ/NO) NO
Peso netto (g) 10 g
Peso lordo (g) 25 g
Conteggio pin 260
Supporto OEM/ODM
Dissipatore di calore/diffusore di calore NO
Fattore di forma SODIMM
Tipo di memoria del computer (DRAM/SDRAM) DRAM
Temperatura operativa 0-70℃
Temperatura di conservazione -40~85℃
Garanzia 3 anni
N. di canali di memoria (singolo/doppio) (Singolo/Doppio)
Dimensioni del prodotto (L x P x A) in mm 70x30x3mm
Memoria bufferizzata/non bufferizzata Memoria senza buffer
Marchio del circuito integrato di memoria Micron/Samsung/Sk Hynix


Nota: le specifiche e i dati sulle prestazioni sono solo di riferimento. I risultati effettivi possono variare in base alle piattaforme o alle configurazioni del sistema. KingDian si riserva il diritto di interpretazione finale.

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