Memoria DDR3 Serie SODIMM

Atributos clave
Nombre de la Marca: KingDian
Número de modelo: Memoria DDR3 SODIMM
Lugar de origen: Porcelana
Certificación: RoHS,CE,FCC,ISO
Atributos personalizados del producto
Descripción del Producto
Parámetros Clave

Serie KingDian DDR3 Memory SODIMM

Interfaz: DDR3

Tipo de DIMM: SODIMM

Frecuencia: 1333/1600MHz

Variantes de Capacidad: 2GB/4GB/8GB

Rango de Temperatura de Almacenamiento: -40-75℃

Rango de Temperatura de Operación: 0-75℃

Voltaje: 1.35/1.5V

Características Clave
  • Mejora el Rendimiento del Ordenador - Si tu portátil funciona más lento de lo que solía hacerlo, actualizar la memoria es una de las formas más sencillas de devolverle la vida. La actualización a memoria DDR3 permite una multitarea más fluida, permitiendo a los usuarios ejecutar múltiples aplicaciones simultáneamente sin experimentar ralentizaciones.
  • Varias Capacidades - Disponible en capacidades de 2GB a 8GB con velocidades de 1333MHz y 1600MHz, ofreciendo rutas de actualización flexibles adaptadas a las necesidades de tu sistema.
  • Actualización Rentable - Ofreciendo una solución asequible para aquellos que buscan actualizar la memoria de su portátil sin invertir en un sistema completamente nuevo.
  • Fiabilidad y Durabilidad - Cada chip KingDian se selecciona de lotes de DRAM de alta calidad y se somete a rigurosas pruebas térmicas y de estrés para garantizar un rendimiento sin defectos en entornos móviles.
  • Proveedor de Memoria para Portátiles - La serie KingDian DDR3 SODIMM se prueba cuidadosamente para garantizar un rendimiento constante. Puedes confiar en un funcionamiento estable para las tareas informáticas diarias.
Especificaciones del Producto
Serie Serie DDR3 SODIMM
Marca KingDian
Capacidad 2GB 4GB 8GB
Número de Modelo DDR3-NB-2GB DDR3-NB-4GB DDR3-NB-8GB
EAN 6935515134213 6935515135913 6935515134176 6935515134183
Velocidad de Memoria / Frecuencia 1333MHz 1333MHz 1600MHz 1600MHz
Ancho de Banda de Memoria (GB/s) 10700 12800 12800
Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1RX8 1Rx8/2RX8 2Rx8
Latencia CAS CL 9-9-9-24 CL11-11-11-28 CL11-11-11-28
Voltaje de Operación 1.35V/1.5 1.35V 1.35V/1.5 1.35V/1.5
No. de ICs de Memoria 8 8/16 8/16
Consumo de Energía 6W Máx.
IC Controlador Ninguno
Soporte de Overclocking (SÍ / NO) NO
ECC (Código de Corrección de Errores) (SÍ/NO) NO
Peso Neto (g) 10g
Peso Bruto (g) 26g
Número de Pines 260
Soporte OEM/ODM
Disipador de Calor / Cubierta de Calor NO
Factor de Forma SODIMM
Tipo de Memoria de Ordenador (DRAM/SDRAM) DRAM
Temperatura de Operación 0~70℃
Temperatura de Almacenamiento -40~85℃
Garantía 3 Años
No. de Canales de Memoria (Simple/Doble) Simple
Dimensión del Producto (An x P x Al) en mm 68x30x3.2mm
Memoria con Búfer / sin Búfer Memoria sin Búfer
Marca de IC de Memoria Micron/Samsung/Sk Hynix
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