Série SODIMM de mémoire DDR3

Attributs clés
Nom de la marque: KingDian
Numéro de modèle: Mémoire DDR3 SODIMM
Lieu d'origine: Chine
Attestation: RoHS,CE,FCC,ISO
Attributs personnalisés du produit
Description du produit
Paramètres clés

Série SODIMM de mémoire DDR3 KingDian

Interface : DDR3

Type de DIMM : SODIMM

Fréquence : 1333/1600MHz

Variantes de capacité : 2 Go/4 Go/8 Go

Plage de température de stockage : -40-75°C

Plage de température de fonctionnement : 0-75°C

Tension : 1,35/1,5 V

Caractéristiques clés
  • Améliorez les performances de votre ordinateur - Si votre ordinateur portable est plus lent qu'avant, la mise à niveau de la mémoire est l'un des moyens les plus simples de lui redonner vie. La mise à niveau vers la mémoire DDR3 permet un multitâche plus fluide, permettant aux utilisateurs d'exécuter plusieurs applications simultanément sans ralentissement.
  • Diverses capacités - Disponible en capacités de 2 Go à 8 Go avec des vitesses de 1333 MHz et 1600 MHz, offrant des chemins de mise à niveau flexibles adaptés aux besoins de votre système.
  • Mise à niveau rentable - Offrant une solution abordable pour ceux qui cherchent à mettre à niveau la mémoire de leur ordinateur portable sans investir dans un système entièrement nouveau.
  • Fiabilité et endurance - Chaque puce KingDian est sélectionnée parmi des lots de DRAM de haute qualité et subit des tests thermiques et de stress rigoureux pour garantir des performances sans défaut dans les environnements mobiles.
  • Fournisseur de mémoire pour ordinateur portable - La série SODIMM DDR3 KingDian est soigneusement testée pour garantir des performances constantes. Vous pouvez compter sur un fonctionnement stable pour les tâches informatiques quotidiennes.
Spécifications du produit
Série Série DDR3 SODIMM
Marque KingDian
Capacité 2 Go 4 Go 8 Go
Numéro de modèle DDR3-NB-2GB DDR3-NB-4GB DDR3-NB-8GB
EAN 6935515134213 6935515135913 6935515134176 6935515134183
Vitesse / Fréquence de la mémoire 1333 MHz 1333 MHz 1600 MHz 1600 MHz
Bande passante mémoire (Go/s) 10700 12800 12800
Rang (1Rx8/2Rx8/8Rx4) 1RX8 1Rx8/2RX8 2Rx8
Latence CAS CL 9-9-9-24 CL11-11-11-28 CL11-11-11-28
Tension de fonctionnement 1,35 V/1,5 1,35 V 1,35 V/1,5 1,35 V/1,5
Nombre de circuits intégrés mémoire 8 8/16 8/16
Consommation électrique 6W Max
Circuit intégré de contrôle Aucun
Support d'overclocking (OUI / NON) NON
ECC (Code de correction d'erreurs) (OUI/NON) NON
Poids net (g) 10g
Poids brut (g) 26g
Nombre de broches 260
Support OEM/ODM Oui
Dissipateur thermique / Diffuseur de chaleur NON
Facteur de forme SODIMM
Type de mémoire d'ordinateur (DRAM/SDRAM) DRAM
Température de fonctionnement 0~70°C
Température de stockage -40~85°C
Garantie 3 ans
Nombre de canaux mémoire (Simple/Double) Simple
Dimension du produit (L x P x H) en mm 68x30x3,2 mm
Mémoire tamponnée / Non tamponnée Mémoire non tamponnée
Marque du circuit intégré mémoire Micron/Samsung/Sk Hynix
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