DDR5 de la serie H51 de disipadores de calor de memoria
Atributos clave
Atributos personalizados del producto
Descripción del Producto
Memoria de escritorio KingDian DDR5
KingDian RAM DDR5 Desktop Memory H51 cuenta con un disipador de calor avanzado que disipa eficazmente el calor, asegurando un rendimiento y estabilidad óptimos.Esto no sólo ayuda a mantener un rendimiento estable, sino que también prolonga la vida útil de los módulos de RAM al evitar el sobrecalentamiento y el potencial de reducción del rendimiento.
El módulo de memoria DDR5 representa la última evolución en la tecnología de RAM, ofreciendo velocidades más altas y mayor ancho de banda en comparación con DDR4 y DDR3.Los módulos de memoria DDR5 incorporan avances en la gestión de energía, funcionando a voltajes más bajos manteniendo un alto rendimiento.
Diseñado para una integración perfecta, la memoria KingDian DDR5 es compatible con una amplia gama de placas base.lo que le permite aumentar el rendimiento de su sistema en minutos.
Ofrece velocidades sustancialmente más rápidas, mejorando el rendimiento general del sistema, la capacidad de respuesta y multitarea.La memoria RAM DDR5 de KingDian asegura que su sistema funcione sin problemas y de manera eficiente, incluso durante las tareas más exigentes.
KingDian es un proveedor confiable de SSD y RAM, utiliza estrictos estándares de inspección entrantes,procesos de producción profesionales y métodos estrictos de gestión de la calidad para proporcionar una serie de productos de memoria DDR para uso a largo plazo con una amplia compatibilidad, alta estabilidad, alto rendimiento de lectura y escritura y excelente compatibilidad con las soluciones de plataformas informáticas convencionales.
Beneficios principales:
- Refrigeración superior con disipador de calor avanzado
- Rendimiento de próxima generación con tecnología DDR5
- Alta compatibilidad y fácil instalación
- Optimizado para juegos y creación de contenido
- Desempeño confiable de un proveedor de confianza
Industria y aplicaciones objetivo:
- PC para juegos
- Estaciones de trabajo de creación de contenido
- Computación de alto rendimiento
- Estaciones de trabajo profesionales
- Centros de datos
Atributos del producto
Unidad FOB:pieza
MOQ del producto:Contacto para más detalles
Precio FOB:0
Embalaje y entrega:Contacto para más detalles
Especificaciones técnicas
DDR5 con filtro de calor serie UDIMM (serie H51)
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Marca del producto | ¿ Qué pasa? |
Configuración de 8 GB
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Capacidad | 8 GB |
| Número de modelo | Se aplicará el método de ensayo. |
| Velocidad de memoria / frecuencia | 4800 MHz |
| Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4) | 1Rx8 |
| La latencia del CAS | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Voltado de funcionamiento | 1.1v |
| Número de IC de memoria | 8/16 |
| Consumo de energía | 3W |
| IC del controlador | No |
| Soporte para el overclock (sí / no) | No |
| El código de corrección de errores (ECC) (sí/no) | No |
| Peso neto (g) | 50 gramos |
| Peso bruto (g) | 85 gramos |
| Número de pines | 288 |
| Apoyo para OEM/ODM | - Sí, es cierto. |
| El disipador de calor / el dispersor de calor | - Sí, es cierto. |
| Factor de forma | El número de unidades de producción |
| Tipo de memoria del ordenador (DRAM/SDRAM) | Dispositivos de almacenamiento |
| Temperatura de funcionamiento | 0 a 70 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -40 °C a 85 °C |
| Garantización | 3 años |
| Número de canales de memoria (single/dual) | (Sólo/Duplo) |
| Dimensión del producto (W x D x H) en mm | El tamaño de la caja es de: |
| Memoria con o sin búfer | Memoria sin almacenamiento en búfer |
| Marca del IC de memoria | Micron/Samsung/Sk Hynix y otros proveedores |
Configuración de 16 GB
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Capacidad | 16 GB |
| Número de modelo | Se aplicará el método de ensayo. |
| Velocidad de memoria / frecuencia | 4800 MHz |
| Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4) | 1Rx8 |
| La latencia del CAS | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Voltado de funcionamiento | 1.1v |
| Número de IC de memoria | 8/16 |
| Consumo de energía | 3W |
| IC del controlador | No |
| Soporte para el overclock (sí / no) | No |
| El código de corrección de errores (ECC) (sí/no) | No |
| Peso neto (g) | 50 gramos |
| Peso bruto (g) | 85 gramos |
| Número de pines | 288 |
| Apoyo para OEM/ODM | - Sí, es cierto. |
| El disipador de calor / el dispersor de calor | - Sí, es cierto. |
| Factor de forma | El número de unidades de producción |
| Tipo de memoria del ordenador (DRAM/SDRAM) | Dispositivos de almacenamiento |
| Temperatura de funcionamiento | 0 a 70 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -40 °C a 85 °C |
| Garantización | 3 años |
| Número de canales de memoria (single/dual) | (Sólo/Duplo) |
| Dimensión del producto (W x D x H) en mm | El tamaño de la caja es de: |
| Memoria con o sin búfer | Memoria sin almacenamiento en búfer |
| Marca del IC de memoria | Micron/Samsung/Sk Hynix y otros proveedores |
Configuración de 32 GB
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Capacidad | 32 GB |
| Número de modelo | H51-DDR5-PC-32GB: el contenido de la sustancia |
| Velocidad de memoria / frecuencia | 4800 MHz |
| Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4) | 2Rx8 |
| La latencia del CAS | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Voltado de funcionamiento | 1.1v |
| Número de IC de memoria | 8/16 |
| Consumo de energía | 3W |
| IC del controlador | No |
| Soporte para el overclock (sí / no) | No |
| El código de corrección de errores (ECC) (sí/no) | No |
| Peso neto (g) | 50 gramos |
| Peso bruto (g) | 85 gramos |
| Número de pines | 288 |
| Apoyo para OEM/ODM | - Sí, es cierto. |
| El disipador de calor / el dispersor de calor | - Sí, es cierto. |
| Factor de forma | El número de unidades de producción |
| Tipo de memoria del ordenador (DRAM/SDRAM) | Dispositivos de almacenamiento |
| Temperatura de funcionamiento | 0 a 70 °C |
| Temperatura de almacenamiento | -40 °C a 85 °C |
| Garantización | 3 años |
| Número de canales de memoria (single/dual) | (Sólo/Duplo) |
| Dimensión del producto (W x D x H) en mm | El tamaño de la caja es de: |
| Memoria con o sin búfer | Memoria sin almacenamiento en búfer |
| Marca del IC de memoria | Micron/Samsung/Sk Hynix y otros proveedores |
Otras configuraciones
| El número de EAN | Velocidad de memoria / frecuencia | Rango (1Rx8/2Rx8/8Rx4) | La latencia del CAS | Voltado de funcionamiento |
|---|---|---|---|---|
| 6935515107491 | 5600 MHz | 1Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.1v |
| 6935515107484 | 6 000 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.35 |
| 6935515139669 | 6400 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.4v |
| 6935515139652 | 4800 MHz | 1Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.1v |
| 6935515107477 | 5600 MHz | 1Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.1v |
| 6935515107460 | 6 000 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.35 |
| 6935515107453 | 6400 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.4v |
| 6935515107446 | 6800 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.4v |
| 6935515139645 | 7200 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.4v |
| 6935515139638 | 4800 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.1v |
| 6935515107439 | 5600 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.1v |
| 6935515107422 | 6 000 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.35 |
| 6935515107415 | 6400 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.4v |
| 6935515107408 | 6800 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.4v |
| 6935515139621 | 7200 MHz | 2Rx8 | Se aplicará el procedimiento siguiente: | 1.4v |
| 6935515139614 |
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